電容-電壓(C-V)測試長期以來被用于判斷多種不同器件和結構的各種半導體參數，適用范圍包括MOSCAP、MOSFET、雙極結型晶體管和JFET、III-V族化合物器件、光伏(太陽能)電池、MEMS器件、有機薄膜晶體管(TFT)顯示器、光電二極管和碳納米管等等。研發實驗室廣泛利用C-V測量技術測新材料、工藝、器件和電路。負責產品和良率增強的工程技術人員利用它們優化工藝和器件性能?？煽啃怨こ處熇眠@類測量技術對供貨商的材料進行資格檢驗，監測工藝參數，分析失效機理。毋庸置疑，它們是半導體特征分析與測試的基礎。

    盡管很多C-V測量技術本身相對簡單，但是以一種能夠確保測量質量的方式實現C-V測試儀與探針臺的連接卻不是那么簡單。目前探針臺使用的機械手和探針卡多種多樣，當試圖在一個探針臺上同時支持I-V、C-V和脈沖式或超快I-V測量時，它們就會帶來一些實際的問題。當進行I-V、C-V或超快I-V測量時，測量結果的質量與線纜的品質和所采用的探針臺配置直接相關。

    直流I-V測量最好采用低噪聲同軸線纜和遠程探測線。C-V測量需要使用具有遠程探測線的同軸線纜，而且線纜長度要控制的非常精確。超快I-V測試需要50歐姆的同軸線纜，但是遠程探測線卻給超快I-V測試帶來了阻抗失配的問題。射頻C-V測量需要使用特殊的射頻線纜和“地-信號-地”結構的探針以及校準基座。但不幸的是，這些接線方法與其它方法都不兼容。

    通過吉時利實驗室中的實驗，我們選擇了American Probe & Technologies公司提供的探頭配置(73系列或74系列)。它的優勢在于大多數探針臺供貨商都有供貨。這種特制的探頭是同軸的，帶有一個開氏連接，其主體和屏蔽層都是浮空的，因此可用作I-V測量的驅動保護，或者通過跳接實現C-V和超快I-V測量的短接地路徑。這類探針上的接頭稱為SSMC。

    有三類線纜可用于實現與這類探針的高品質連接：SSMC到三軸線纜連接適用于直流I-V測量和一般性應用(直接或間接連接)；SSMC到同軸線纜連接可用于C-V或超快I-V測試(間接連接)；而更特殊的SSMC到SMA線纜連接能夠實現最佳的C-V測量性能，尤其是在較高頻率下(直接連接)。每個探針連接了一對同軸線纜，實現遠程開氏檢測連接。請注意兩個探頭體之間的跳線很短，這種跳線確保了探針之間具有良好的接地連接，這對高頻測量很重要。

    好的C-V測量取決于接地跳線的質量。隨著頻率的提高，好的接地跳線變得愈發重要。探頭體必須跳接在一起，因為同軸線纜的屏蔽層實際上是C-V測試系統測量通路的一部分。如果屏蔽層沒有靠近連接在一起，就會形成一個很大的回路，從而在測量通路中直接產生較大的電感，給電容測量帶來很大的誤差。

    當有人想要采用與C-V測量系統相同的探針和線纜系統配置進行直流I-V測量時，按這種方式跳接探針體的缺點就顯而易見了。對于好的直流I-V測量，探針體必須浮動在保護電位上，這意味著當從C-V轉換為I-V測試時，必須去掉這個跳線。如果探針臺頻繁在I-V和C-V測試之間轉換，那么你很快就會發現去掉和重新放置這個跳線是一個非常費力費時的過程。