據公開數據顯示，2015年光通信芯片市場增長4%，未來5年的復合年增長率達8%，到2018年，光芯片及其封裝器件市場將達到105億美元。光傳輸市場仍然是其最大的市場，數據中心市場增長最快，將以22%的復合年增長率增長，2018年將達45億美元，此外，光接入市場需求趨于平穩，年需求維持在10億美元。

光器件及芯片是光通信企業最核心的技術競爭力，尤其以光通信芯片為最。而我國光器件及芯片企業整體實力較弱，產品主要集中在中低端領域，在10G以上速率的有源器件和100G光模塊等高端領域也才逐漸有所突破。例如索爾思光電的100Gb/s QSFP28收發模塊具性能和成本優勢，易飛揚100GQSFP28光模塊研發成功，100GCFP-LR4光模塊正式商業化。

但在芯片層面仍然主要依賴國外芯片廠商。隨著企業并購的不斷發生，在并購中掌握話語權的國際廠商一旦收緊芯片供應，恐將給沒有核心芯片技術的國內器件、模塊廠商帶來元器件斷貨的風險，無疑，國內自主芯片研發的推進將有助于降低這一風險。

在國內光通信產業中也涌現了一批具有自主研發能力的企業。

芯片間或者芯片內部的通訊傳輸可通過硅光子代替電子，達到更高的傳輸速率。目前國外廠商掌握著硅光子先進技術，國內廠商保持跟進。

去年，IBM研究院宣布，首次完成設計與測試完全整合的波長多工硅光子芯片，而且很快就可用于100Gb/s的光收發器的生產，未來將可讓資料中心有更高的資料傳輸率及頻寬，以因應云端運算及大資料應用的需求。

硅光子技術使用小型的光元件傳送光脈沖，可在服務器芯片、大型資料中心及超級電腦的芯片之間以極高的速率傳送大量資料，突破資料流量阻塞及傳統昂貴的網路互連技術的限制，大幅降低系統內及運算元件間的資料傳輸瓶頸，提升回應時間。IBM突破性的發展則運用100納米以下的半導體技術，在單一晶片上整合光元件與電子回路。

而光迅在硅光子關鍵技術和實用化探索上積極布局，隨著其綜合實力逐漸增強，以及國家集成電路產業的扶持，必將加快推進硅光子項目。

從無線通訊方面來看，6G/10G光模塊是4G基站和4G傳輸設備中的核心部件，其中基站內傳輸主要為6G及以下光模塊，基站間傳輸主要采用10G光模塊。無線通訊的發展勢必為光模塊行業帶來新的增長動力。

國內市場，光迅科技在4G LTE部分占到60%份額。隨著5G發展的加速，光迅認為25G的光電芯片在未來將會成為主流配置。這較10G時代又更近一步，10G是未來的基本配置。預計，5G的數據傳輸速度將是4G的40倍，5G對光模塊的需求量將會遠超過4G的需求量。

業內預測2016年中國運營商在4G、固網寬帶的競爭日趨白熱化的同時，在無線網、接入網投入將超預期，光通信投資同比將超過30%。近期中國聯通發布LTE FDD三期采集招標公告，采購規模為46.9萬個基站，將運營商4G 競爭推向更高潮。

據預測，。隨著5G通信的到來，留給光通信廠商的5G市場空間必將更加廣闊。