CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測量靜態(tài)（或“待機”）電源電流用于驗證生產(chǎn)測試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測量過程被稱為IDDQ測試。此測試要求在IC處于靜態(tài)條件下測量VDD電源電流。測試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時間導(dǎo)致IC失效的其它缺陷。同樣地，帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測量。

這些產(chǎn)品類型包括便攜式電池供電的消費性電子產(chǎn)品，例如移動電話、尋呼機和筆記本電腦，以及可植入的醫(yī)療設(shè)備，例如心臟起搏器和除顫器。這些測試的目標(biāo)是在給定電池充電電平和工作質(zhì)量條件下確保產(chǎn)品滿足消費者對更長工作時間的要求。測試必須盡快完成以確保吞吐量符合要求，而且測試必須全面以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

在選擇執(zhí)行這些測試的測量儀器時，兩項最重要的考慮是速度和準(zhǔn)確度。但是，在測量小電流時，有時必須在速度和準(zhǔn)確度兩者間做出取舍，所以通常需要用定制硬件完成這些測試。定制硬件的設(shè)計時間可能很漫長而且一般不容易維護，而商購的測試系統(tǒng)通常易于使用、容易買到而且節(jié)省機架空間。