Q1：芯片越來越小，以后的晶片測試將如何完成？

A1：當芯片越來越小，對測試來說，會看到兩個趨勢，脈沖和快速的測試，脈沖主要是應對像SOI，High-K材料這樣新工藝，對于快速測試來說，我們可能要應對NBTI或者是行進間的擊穿這樣的現象。

Q2：請問有否關于Mosfet 的好的性能檢測方案？

A2：對于Mosfet來說，您可能需要一些手動參數的系統，吉時利4200是一個非常流行的好的解決方案，您可以通過4200配置若干個數字源表單元，就可以完成您的摩斯管的特定參數分析。

Q3：對于半導體器件壽命提前測試現今的主要手段是什么？

A3：目前最可靠的手段是WLR，傳統的可靠性測試常常是在，把一個芯片分裝作成成產品之后再做測試，在這種情況下，如果您發現芯片有壽命問題，在整個過程中，您花費的成本是非常大，我們現在往往會把可靠性測試往前提，就是說把它提到在芯片制造過程中，就可以做一些可靠性測試，對于像Mosfet，現在有一些標準的測試項目，像講義中提到過的NBTI等，這些都是一些非常標準的WLR測試項目，然后可以通過對這些項目進行檢測，就可以對半導體的壽命進行提前預測。

Q4：stress 是由加的電流電壓的熱效應引起的嗎？

A4：在可靠性測試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時間上維持一個周期。由于stress會引起器件的很多變化，以HCI為例子，stress會引起器件的特性參數漂移，造成器件的損傷，或者有stress引起的物理或者是化學的效應，熱效應其實不是一個最主要的原因。