怎樣防止儀器儀表的損壞?下一步，我們將一起維護和使用這個儀器。

　　一、怎樣防止儀器儀表的損壞?

　　第一、確保接地良好;

　　a.一定要使用與儀器配套的三相交流線路。

　　b.良好的接地可以防止靜電積聚，避免對設備造成損害或對操作者造成傷害。

　　c.不要使用不加保護的地線的延長電纜、電源線或自耦變壓器，以免地線保護失效。

　　d.使用之前一定要檢查交流電源的質量和極性。儀器使用的電壓一般為100,120,220V±10%或240V+5%/–10%。一般情況下，在接地電阻值<1Ω，零線和地線之間的電壓<1V，必要時，可配置不間斷電源[UPS]。

　　e.如需詳細資料，請參閱《儀器接地注意事項》應用指南。

　　第二、閱讀警示標識及儀器技術指標。

　　1.不能使用超過技術指標說明書中規定的值，或儀器上黃色警告標簽所示的值。

　　2.參考技術指標說明書，了解達到所述技術指標應滿足的條件。請注意關于穩定時間，儀器設置和校準/計量要求的說明。

　　第三、避免將過大功率輸入儀器。

　　(1)要事先了解儀器要測量的信號電平，以免損壞儀器前端元件。前部超載會導致前部零件損壞。一般射頻輸入信號水平的最大值為<0.1到1W或<0.2到2DCV。

　　(2)在打開或關閉連接的設備或測試中的設備之前，將其信號電平降低到最低的安全水平，以避免突然的電壓升高或降低對儀器的輸入輸出產生影響。

　　(3)如果需要，適當地使用隔直器，限制器或外部衰減器。其他信息。

　　在低于45MHz的直流信號被11742A直流電容阻隔時，允許45MHz到26.5GHz的信號通過。可抑制低頻信號從而保護貴重的測量儀器，特別適合與高頻示波器、偏置微波電路配合使用。

　　第四、射頻輸入接頭的保護裝置。

　　(1)注意不能彎曲、撞擊或折斷任何被測裝置，如濾波器、衰減器或大電纜等，這些裝置與儀器的輸入端相連。這減少了輸入連接器和支撐硬件所受的張力。

　　(2)確保連接到輸入端的外部設備得到適當的支持(而不是隨意地懸掛)。

　　(3)在連接RF連接器時，必須使用扭力扳手和量規工具。

　　(4)不能混接50Ω和75Ω的連接線。

　　第五、良好的保養RF/光纖電纜和連接器。

　　避免電纜反復彎折。彎曲的角度太大會立即損壞電纜;

　　減少連接和斷開的次數，以減少磨損;

　　在使用連接器之前先檢查一下，看看是否有污物、劃痕和其它損壞或磨損的跡象。連接好的連接器時，壞的連接器會立即造成好的連接器損壞。

　　第六、遵守防靜電的規定。

　　1，靜電放電(ESD)可能破壞或損壞電子元件。在防靜電的工作區域應盡量進行試驗。容易產生靜電的材料應遠離所有元件至少一米。同軸線與儀器連接前，其內外導體應立即短路接地，以釋放靜電。

　　2，在運輸或移動設備前，在所有RF和光纖連接器上安裝ESD保護罩。

　　第七、注意保持空氣流通和濕度。

　　定期檢查和清洗排氣孔中的儀器。通氣不良會引起儀器工作溫度升高，從而引起儀器故障。工作溫度宜在23℃至5℃之間，環境溫度不宜超過35℃;

　　將儀器裝在柜體內，必須保證其通氣順暢。每100W的機箱耗電量，環境溫度應比產品最高工作溫度低4℃。如柜內總功率大于800W，應采取強制通風措施。

　　第八，搬運的注意事項。

　　1.抓住儀表的手柄，以便操作。

　　2.不要用手握住儀表的前板。若儀表滑脫，鍵盤，旋鈕或輸入接頭可能損壞。

　　3.較重的儀器應使用推車或由兩人一起搬運。

　　第八注意用交通工具包裝。

　　采用不合格的包裝材料會造成儀器損壞。請勿用任何形狀的發泡材料包裝儀器。他們無法有效地減輕儀器所受的沖擊，而且很容易產生靜電而損壞儀器。盡可能將儀器原廠包裝，以便運輸中再次使用。

　　二、產品簡介：Keithley吉時利2450數字源表

　　2450是適合各行各業用戶使用的源測量設備(SMU)：這一多用途儀器特別適合現代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術和其他小尺寸低功率器件的特性分析。加上吉時利源計量裝置(SMU)的精確度和精確度，讓使用者無論現在還是將來都能觸摸、測試和發明，成為你實驗室里愛不釋手的儀器。

　　吉時利2450型數字源表的典型應用。

　　Github源表非常適合于當前各種現代電子設備的電流/電壓特性分析和功能測試，包括：

　　1.測試納米材料和器件的性能，如石墨烯，碳納米管，納米線，低功率納米結構等;

　　2.測試半導體結構，如晶片，薄膜。

　　3.用電子油墨、印刷電子技術等有機材料和器件的測試。

　　4.LED/AMOLED、光伏/太陽電池、電池測試等能源效率和照明測試;

　　5.分離裝置與被動元件一起進行測試，例如雙引線：電阻、二極管、齊納、二極管、LED、磁盤驅動器磁頭、光驅、感應器、三引線：小信號雙極節晶體管、場效應晶體管等。

　　6.電阻率，霍爾效應等材料特性分析。