吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS的I-V特性測(cè)量的應(yīng)用是什么?接下來(lái)一起看看吧!!!

　   吉時(shí)利KEITHLEY源表其中一些主要應(yīng)用如：

　　·通用超快I-V測(cè)量。脈沖式I-V測(cè)試具有很廣泛的應(yīng)用，它通過(guò)使用窄脈沖和/或低占空比脈沖而不是直流信號(hào)，能夠防止器件自熱效應(yīng)。

　　·CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速電壓源和電流測(cè)量靈敏度使得它們非常適合于CMOS器件的特征分析，包括高k器件和先進(jìn)CMOS工藝，如絕緣體上硅。

　　·非易失性存儲(chǔ)器測(cè)試。系統(tǒng)安裝的KTEI軟件提供了用于閃存和相變存儲(chǔ)器器件測(cè)試的工具包。該系統(tǒng)非常適合于單個(gè)存儲(chǔ)單元或小規(guī)模存儲(chǔ)陣列的測(cè)試，例如研發(fā)或工藝驗(yàn)證之類的應(yīng)用。

　　·化合物半導(dǎo)體器件與材料的特征分析。能夠?qū)II-V族材料進(jìn)行特征分析，例如氮化鎵、砷化鎵和其它一些化合物半導(dǎo)體。它允許用戶設(shè)置一個(gè)脈沖偏移電壓，然后從非零值進(jìn)行測(cè)量，從而研究器件的放大增益或線性度。

　　·NBTI/PBTI可靠性測(cè)試。自動(dòng)特征分析套件軟件還支持全自動(dòng)晶圓級(jí)和晶匣級(jí)測(cè)試，內(nèi)置NBTI/PBTI測(cè)試庫(kù)，具有簡(jiǎn)潔易用的GUI。

　　吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS的I-V特性測(cè)量

　　keithley吉時(shí)利4200-SCS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)I-V測(cè)量功能的核心單元是SMU (源測(cè)量單元) ;

　　SMU集4種功能于- -體:電壓源、電壓表、電流源、電流表;

　　可以向器件提供驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)測(cè)量電流，也可以向器件提供電流并測(cè)量電壓;

　　圖形化的KITE軟件可以輕松地設(shè)定測(cè)試條件，設(shè)定電壓或電流，被測(cè)點(diǎn)數(shù)，保護(hù)電壓或電流值，完成各種I-V參數(shù)測(cè)試;

　　SM的數(shù)量與被測(cè)器件的端口數(shù)有關(guān)，原則上有幾個(gè)端口，就要配幾個(gè)SMU。

　　一般來(lái)說(shuō)，keithley吉時(shí)利4200-SCS系統(tǒng)的最基本的組成部分就是I-V部分，I-V測(cè) 試是最基本，最核心的測(cè)試內(nèi)容，C-V測(cè)試，乃至脈沖I-V的測(cè)試都是其擴(kuò)展部分，根據(jù)用戶的經(jīng)費(fèi)情況和研究的器件類型。來(lái)對(duì)這個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行配置。

　　KEITHLEY吉時(shí)利4200-SCS 相關(guān)應(yīng)用：

　　●半導(dǎo)體器件 ●片上參數(shù)測(cè)試●晶圓級(jí)可靠性●封裝器件的特性分析●使用Model4200-SCS控制外部LCR表進(jìn)行C-V、I-V特性分析●高K柵電荷俘獲●易受自加熱效應(yīng)影響的器件和材料的等溫測(cè)試●電荷泵方法分析MOSFET器件的界面態(tài)密度●電阻式或電容式MEMS驅(qū)動(dòng)特性分析●光電器件●半導(dǎo)體激光二極管DC/CW特性分析●收發(fā)模塊DC/CW特性分析●PIN和APD特性分析●科技開(kāi)發(fā);碳納米管特性分析●材料研究●電化學(xué)