今天將為大家帶來電源設計第1階段—器件選擇和性能驗證更為詳細的介紹，主要向大家推薦功率器件動態參數/雙脈沖測試的解決方案。

測試需求

功率器件如場效應晶體管(MOSFET)和絕緣門雙極晶體管(IGBT)，這些功率器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規律的電壓峰值， 被廣泛應用于電源轉換產品的設計。

尤其最新第三代半導體SiC和GaN快速發展和應用可以毫不夸張的說給電源行業帶來顛覆性的變化。對于設計工程師來說卻帶來了非常大的測試挑戰，如何保證選用的高速功率器件能穩定可靠的運行在自己的電源產品中，我們需要了解功率器件的動態特性：

1. 器件在不同溫度的特性

2. 短路特性和短路關斷

3. 柵極驅動特性

4. 關斷時過電壓特性

5. 二極管回復特性

6. 開關損耗測試等

測試平臺搭建

泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強大的發生裝置，數據測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項目包含：

Toff, td(off), tf(Ic),Eoff, Ton, td(on),tr(Ic), Eon, di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr based on IEC60747。

測試系統圖

1. AFG31000產生雙脈沖驅動信號。

2. IsoVu光隔離探頭準確測試Vgs和Vds電壓信號。

3. MSO5示波器運行IGBT town軟件進行設定和自動測試。

測試說明

采用雙脈沖法，用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次，示波器采用單次觸發。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態參數。左下的測試提示Ic off是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流，從測試數據中可以看到基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN? IGO60R070D1速度還是非常快的，而且完全沒有反向恢復損耗。

方案配置

推薦解決方案：MSO54 + 5-wins+5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT town軟件 

方案特點

1.可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET（包括第三代半導體器件SiC、GaN）功率半導體動態特征

2.測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢復、柵極驅動，開關損耗等參數

3.適用于用戶對測試環境的自定義

4.全部使用泰克示波器及原廠電源探頭，可準確補償探頭的延遲，專用的開關損耗算法，提供可靠的測試結果。

5.獨特的ISOvU 探頭，最高800MHz帶寬高達120dB共模抑制比，準確測試驅動信號的真實情況